對(duì)于大功率硅襯底LED芯片，單面出光容易控制方向，做出的應(yīng)用產(chǎn)品射程遠(yuǎn)、光品質(zhì)好，極為適合需要高品質(zhì)出光的高端照明領(lǐng)域應(yīng)用，在汽車大燈、手機(jī)閃光燈、電視背光、高端便攜式照明、高端室內(nèi)照明等大功率LED照明燈具（燈飾）應(yīng)用領(lǐng)域具有性能優(yōu)勢(shì)。由于硅襯底LED芯片采用剝離方法徹底消除了發(fā)光薄膜和襯底之間的應(yīng)力，加之垂直結(jié)構(gòu)電流擴(kuò)散快，單位面積承載電流的能力強(qiáng)，適用于大功率LED照明燈具（燈飾）的應(yīng)用。

　　緩解應(yīng)力降低位錯(cuò)密LED芯片硅襯底和其他兩種襯底，碳化硅和藍(lán)寶石相比，最大的技術(shù)難點(diǎn)是晶格失配和熱失配。“但這也正是在硅襯底上制作GaNLED對(duì)一個(gè)技術(shù)人員的吸引力和魅力所在。”陳振博士笑著說(shuō)。

　　硅和氮化鎵的晶格失配最大，是碳化硅的幾倍。大的晶格失配會(huì)導(dǎo)致氮化鎵材料中出現(xiàn)較高的位錯(cuò)密度，也正是這個(gè)原因使得人們?cè)诤荛L(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)認(rèn)為L(zhǎng)ED芯片硅襯底是一條走不通的技術(shù)路線。

　     LED照明燈具（燈飾），LED芯片硅襯底和氮化鎵之間有很大的熱失配，這個(gè)問(wèn)題導(dǎo)致在高溫生長(zhǎng)時(shí)兩者達(dá)到一定的匹配，可是降到室溫后，由于兩者的熱膨脹系數(shù)差異很大，會(huì)導(dǎo)致龜裂等問(wèn)題的產(chǎn)生。