搜搜LED網(wǎng)訊：制造GaN外延芯片的材料工藝和加工設(shè)備與GaP、GaAs、InGaAlP相比有哪些不同的要求

隨著半導(dǎo)體LED芯片技術(shù)的發(fā)展，其在照明領(lǐng)域的應(yīng)用也越來(lái)越多，特別是白光LED的出現(xiàn)，更是成為半導(dǎo)體照明的熱點(diǎn)。但是關(guān)鍵的芯片、封裝技術(shù)還有待提高，在芯片方面要朝大功率、高光效和降低熱阻方面發(fā)展。提高功率意味著芯片的使用電流加大，最直接的辦法是加大芯片尺寸，現(xiàn)在普遍出現(xiàn)的大功率芯片都在1mm×1mm左右，使用電流在350mA.由于使用電流的加大，散熱問(wèn)題成為突出問(wèn)題，現(xiàn)在通過(guò)芯片倒裝的方法基本解決了這一文題。隨著LED技術(shù)的發(fā)展，其在照明領(lǐng)域的應(yīng)用會(huì)面臨一個(gè)前所未有的機(jī)遇和挑戰(zhàn)。

藍(lán)光LED芯片通常采用Al2O3襯底，Al2O3襯底硬度很高、熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率低，如果采用正裝結(jié)構(gòu)，一方面會(huì)帶來(lái)防靜電問(wèn)題，另一方面，在大電流情況下散熱也會(huì)成為最主要的問(wèn)題。同時(shí)由于正面電極朝上，會(huì)遮掉一部分光，發(fā)光效率會(huì)降低。大功率藍(lán)光LED通過(guò)芯片倒裝技術(shù)可以比傳統(tǒng)的封裝技術(shù)得到更多的有效出光。LED網(wǎng)

現(xiàn)在主流的倒裝結(jié)構(gòu)做法是：首先制備出具有適合共晶焊接電極的大尺寸藍(lán)光LED芯片，同時(shí)制備出比藍(lán)光LED芯片略大的硅襯底，并在上面制作出供共晶焊接的金導(dǎo)電層及引出導(dǎo)線層（超聲金絲球焊點(diǎn)）。然后，利用共晶焊接設(shè)備將大功率藍(lán)光LED芯片與硅襯底焊接在一起。這種結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)是外延層直接與硅襯底接觸，硅襯底的熱阻又遠(yuǎn)遠(yuǎn)低于藍(lán)寶石襯底，所以散熱的問(wèn)題很好地解決了。由于倒裝后藍(lán)寶石襯底朝上，成為出光面，藍(lán)寶石是透明的，因此出光問(wèn)題也得到解決。

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