搜搜LED網(wǎng)訊：LED芯片里面的差異化是比較難做的。因?yàn)樵贚ED芯片廠家里面的人流動(dòng)比較頻繁，所以在技術(shù)或者方案里面要做到很大差異存在一定的難度。對(duì)于LED芯片廠家士蘭明芯來講，我們主要在質(zhì)量管理上不斷細(xì)化，從而提升芯片的質(zhì)量，使生產(chǎn)出來的芯片在穩(wěn)定度上占有優(yōu)勢(shì)，確保流入市場(chǎng)的產(chǎn)品出現(xiàn)的問題最少，而不是一味的追求品種差異化或者其他方面的差異。本文為雜文優(yōu)質(zhì)內(nèi)容去LED網(wǎng)首頁

   因此，在面對(duì)不斷提高電流情況的同時(shí)，如何增加抗熱能力，也是現(xiàn)階段的急待被克服的問題，從各方面來看，除了材料本身的問題外，還包括從LED晶片到封裝材料間的抗熱性、導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)、封裝材料到PCB板間的抗熱性、導(dǎo)熱結(jié)構(gòu)，及PCB板的散熱結(jié)構(gòu)等，這些都需要作整體性的考量。

   近兩年紅光ASLED芯片在亮度方面進(jìn)展確實(shí)緩慢，不同于GaN外延片的亮度不斷提高，四元系紅光外延的內(nèi)量子效率已經(jīng)很高，缺乏提升空間。市面LED芯片廠家采用晶圓鍵合和襯底轉(zhuǎn)移技術(shù)制作的反極性芯片（N電極向上）雖然亮度較高，但是成本高昂貴而且在芯片尺寸小型化方面還面臨一定的VF較高問題，并不適合小間距顯示屏應(yīng)用。我司的對(duì)策是提高四元紅光外延片的DBR反射效率以及采用表面粗化技術(shù)，提高外量子效率，我司小間距顯示屏紅光芯片在同尺寸在亮度比其他廠家高15%，可有效降低使用電流減少發(fā)熱。

   與藍(lán)綠芯片相比，紅光芯片技術(shù)發(fā)展革新較慢，光電轉(zhuǎn)換效率還有待提高。紅光LED芯片要想和藍(lán)綠芯片匹配，往往要調(diào)大電流，在小間距領(lǐng)域，不僅導(dǎo)致功耗變大，而且產(chǎn)品溫度更高。貴公司如何推動(dòng)紅光芯片的技術(shù)革新，改變這一不利局面？而并非進(jìn)行晶片表面改善后，再加上增加晶片面積就絕對(duì)可以一口氣提升亮度，因?yàn)楫?dāng)光從晶片內(nèi)部向外散射時(shí)，晶片中這些改善的部分無法進(jìn)行反射，所以在取光上會(huì)受到一點(diǎn)限制，根據(jù)計(jì)算，最佳發(fā)揮光效率的LED晶片尺寸是在7m㎡左右。和大面積LED晶片相比，利用小功率LED晶片封裝成同一個(gè)模組，這樣是能夠較快達(dá)到高亮度的要求，例如，Citizen就將8個(gè)小型LED封裝在一起，讓模組的發(fā)光效率達(dá)到了60lm/W。

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