1、GaAs襯底：在使用LPE生長紅光LED時(shí)，一般使用AlGaAs外延層，而使用MOCVD生長紅黃光LED時(shí)，一般生長AlInGaP外延結(jié)構(gòu)。外延層生長在GaAs襯底上，由于晶格匹配，容易生長出較好的材料，但缺點(diǎn)是其吸收這一波長的光子，布拉格反射鏡或晶片鍵合技術(shù)被用于消除這種額外的技術(shù)問題。

2、GaP襯底：在使用LPE生長紅黃光LED時(shí)，一般使用GaP外延層，波長范圍較寬565-700nm;使用VPE生長紅黃光LED時(shí)，生長GaAsP外延層，波長在630-650nm 之間;而使用MOCVD時(shí)，一般生長AlInGaP外延結(jié)構(gòu)，這個(gè)結(jié)構(gòu)很好的解決了GaAs襯底吸光的缺點(diǎn)，直接將LED結(jié)構(gòu)生長在透明襯底上，但缺點(diǎn)是晶格失配，需要利用緩沖層來生長InGaP和AlGaInP結(jié)構(gòu)。另外，GaP基的III-N-V材料系統(tǒng)也引起廣泛的興趣，這種材料結(jié)構(gòu)不但可以改變帶寬，還可以在只加入0.5 %氮的情況下，帶隙的變化從間接到直接，并在紅光區(qū)域具有很強(qiáng)的發(fā)光效應(yīng)(650nm)。采用這樣的結(jié)構(gòu)制造LED，可以由GaNP 晶格匹配的異質(zhì)結(jié)構(gòu)，通過一步外延形成LED結(jié)構(gòu)，并省去GaAs襯底去除和晶片鍵合透明襯底的復(fù)雜工藝。

 

用于氮化鎵研究的襯底材料比較多，但是能用于生產(chǎn)的襯底目前只有二種，即藍(lán)寶石Al2O3和碳化硅SiC襯底。

 

 

用于氮化鎵生長的最理想的襯底自然是氮化鎵單晶材料，這樣可以大大提高外延片膜的晶體品質(zhì)，降

 

低位元錯(cuò)密度，提高器件工作壽命，提高發(fā)光效率，提高器件工作電流密度�？墒牵�制備氮化鎵體單晶材料非常困難，到目前為止尚未有行之有效的辦法。有研究人員通過HVPE方法在其他襯底(如Al2O3、SiC、LGO)上生長氮化鎵厚膜，然后通過剝離技術(shù)實(shí)現(xiàn)襯底和氮化鎵厚膜的分離，分離后的氮化鎵厚膜可作為外延用的襯底。這樣獲得的氮化鎵厚膜優(yōu)點(diǎn)非常明顯，即以它為襯底外延的氮化鎵薄膜的位元錯(cuò)密度，比在Al2O3、SiC上外延的氮化鎵薄膜的位元錯(cuò)密度要明顯低;但價(jià)格昂貴。因而氮化鎵厚膜作為半導(dǎo)體照明的襯底之用受到限制。

 

 

目前用于氮化鎵生長的最普遍的襯底是Al2O3，其優(yōu)點(diǎn)是化學(xué)穩(wěn)定性好、不吸收可見光、價(jià)格適中、制造技術(shù)相對(duì)成熟;不足方面雖然很多，但均一一被克服，如很大的晶格失配被過渡層生長技術(shù)所克服，導(dǎo)電性能差通過同側(cè)P、N電極所克服，機(jī)械性能差不易切割通過雷射劃片所克服，很大的熱失配對(duì)外延層形成壓應(yīng)力因而不會(huì)龜裂。但是，差的導(dǎo)熱性在器件小電流工作下沒有暴露出明顯不足，卻在功率型器件大電流工作下問題十分突出。
 

除了Al2O3襯底外，目前用于氮化鎵生長襯底就是SiC，它在市場上的占有率位居第2，目前還未有第三種襯底用于氮化鎵LED的商業(yè)化生產(chǎn)。它有許多突出的優(yōu)點(diǎn)，如化學(xué)穩(wěn)定性好、導(dǎo)電性能好、導(dǎo)熱性能好、不吸收可見光等，但不足方面也很突出，如價(jià)格太高、晶體品質(zhì)難以達(dá)到Al2O3和Si那麼好、機(jī)械加工性能比較差。 另外，SiC襯底吸收380 nm以下的紫外光，不適合用來研發(fā)380 nm以下的紫外LED。由于SiC襯底優(yōu)異的的導(dǎo)電性能和導(dǎo)熱性能，不需要像Al2O3襯底上功率型氮化鎵LED器件采用倒裝焊技術(shù)解決散熱問題，而是采用上下電極結(jié)構(gòu)，可以比較好的解決功率型氮化鎵LED器件的散熱問題。目前國際上能提供商用的高品質(zhì)的SiC襯底的廠家只有美國CREE公司。
 

在硅襯底上制備發(fā)光二極體是本領(lǐng)域中夢寐以求的一件事情，因?yàn)橐坏┘夹g(shù)獲得突破，外延片生長成本和器件加工成本將大幅度下降。Si片作為GaN材料的襯底有許多優(yōu)點(diǎn)，如晶體品質(zhì)高，尺寸大，成本低，易加工，良好的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性和熱穩(wěn)定性等。然而，由于GaN外延層與Si襯底之間存在巨大的晶格失配和熱失配，以及在GaN的生長過程中容易形成非晶氮化硅，所以在Si 襯底上很難得到無龜裂及器件級(jí)品質(zhì)的GaN材料。另外，由于硅襯底對(duì)光的吸收嚴(yán)重，LED出光效率低。

ZnO襯底

 

之所以ZnO作為GaN外延片的候選襯底，是因?yàn)樗麄儍烧呔哂蟹浅ｓ@人的相似之處。兩者晶體結(jié)構(gòu)相同、晶格失配度非常小，禁帶寬度接近(能帶不連續(xù)值小，接觸勢壘小)。但是，ZnO作為GaN外延襯底的致命的弱點(diǎn)是在GaN外延生長的溫度和氣氛中容易分解和被腐蝕。目前，ZnO半導(dǎo)體材料尚不能用來制造光電子器件或高溫電子器件，主要是材料品質(zhì)達(dá)不到器件水準(zhǔn)和P型摻雜問題沒有真正解決，適合ZnO基半導(dǎo)體材料生長的設(shè)備尚未研制成功。今后研發(fā)的重點(diǎn)是尋找合適的生長方法。但是，ZnO本身是一種有潛力的發(fā)光材料。 ZnO的禁帶寬度為3.37 eV，屬直接帶隙，和GaN、SiC、金剛石等寬禁帶半導(dǎo)體材料相比，它在380 nm附近紫光波段發(fā)展?jié)摿ψ畲�，是高效紫光發(fā)光器件、低閾值紫光半導(dǎo)體雷射器的候選材料。ZnO材料的生長非常安全，可以采用沒有任何毒性的水為氧源，用有機(jī)金屬鋅為鋅源。
 

有人使用MBE在ZnSe襯底上生長ZnCdSe/ZnSe等材料，用于藍(lán)光和綠光LED器件，最先由住友公司推出，由于其不需要熒光粉就可以實(shí)現(xiàn)白光LED的目標(biāo)，故可降低成品，同時(shí)電源回路構(gòu)造簡單，其操作電壓也比GaN白光LED低。但是其并沒有推廣，這是因?yàn)橛捎谑褂肕OCVD，p型參雜沒有很好解決，試驗(yàn)中需要用到Sb來參雜，所以一般采用MBE生長，同時(shí)其發(fā)光效率較低，，而且由于自補(bǔ)償效應(yīng)的影響，使得其性能不穩(wěn)定，器件壽命較短。

實(shí)現(xiàn)發(fā)光效率的目標(biāo)要寄希望于GaN襯底的LED，實(shí)現(xiàn)低成本，也要通過GaN襯底導(dǎo)致高效、大面積、單燈大功率的實(shí)現(xiàn)，以及帶動(dòng)的工藝技術(shù)的簡化和成品率的大大提高。半導(dǎo)體照明一旦成為現(xiàn)實(shí)，其意義不亞于愛迪生發(fā)明白熾燈。一旦在襯底等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域取得突破，其產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程將會(huì)取得長足發(fā)展