鉬、鉬銅和鎢銅材料制成的晶圓襯底：
      若使LED燈具有耐用性，需配裝可靠的堅(jiān)固部件。憑借我們的鉬、MoCu以及WCu晶片襯底，LED芯片的使用壽命可輕松達(dá)到10萬個(gè)小時(shí)。

LED芯片中的半導(dǎo)體層可將電流轉(zhuǎn)化為光。半導(dǎo)體層由電子區(qū)（N型摻雜）和空穴區(qū)（P型摻雜）組成。電流通過半導(dǎo)體層，電子與空穴結(jié)合，以光子形式發(fā)出光。剩余能量以熱輻射形式釋放，溫度可達(dá)85℃。
    未來的LED亮度更高，工作溫度隨之也會(huì)上升。上海瑞鉬特針對(duì)不同的需求采用不同材料，為客戶提供最佳的散熱解決方案。例如基于藍(lán)寶石或硅基襯底的LED垂直結(jié)構(gòu)芯片，我們供應(yīng)純鉬襯底；又如我們專門為藍(lán)寶石襯底的垂直結(jié)構(gòu)芯片而研發(fā)的鉬銅以及鎢銅復(fù)合材料。
      垂直LED工藝中，金屬襯底與LED芯片的半導(dǎo)體層鍵合，溫度可達(dá)800 ℃。上海瑞鉬特研究出鉬銅復(fù)合材料，能夠應(yīng)對(duì)鍵合工藝的高溫以及LED對(duì)散熱的長期需求。這種材料有與Al2O3具有相同的熱膨脹系數(shù)。Al2O3是LED芯片中藍(lán)寶石襯底和陶瓷基座的成分，正因?yàn)榻饘僖r底，藍(lán)寶石襯底以及陶瓷底板三者的熱膨脹性一致，從而避免了半導(dǎo)體層和鍵合層出現(xiàn)應(yīng)熱應(yīng)力釋放不均而導(dǎo)致的缺陷。為LED芯片定制的鉬銅材料 ，其熱導(dǎo)率(TC)為170 W/mK（20℃ 時(shí)），鎢銅材料，其熱導(dǎo)率(TC)為190 W/mK（20℃ 時(shí)），高于純鉬的材料142W/mK。好處是為藍(lán)寶石基板LED芯片提供更好的散熱性。
      可供應(yīng)的鉬和鉬銅晶圓襯底的最小厚度為0.05mm，最小直徑為2in。我們甚至能夠供應(yīng)直徑達(dá) 4英寸或更大的晶圓襯底。晶片襯底的粗糙度和平整度對(duì)與半導(dǎo)體層的鍵合制程產(chǎn)生決定性影響。我們提供適用于不同工藝的表面處理，請(qǐng)與我們聯(lián)系。
      如您需要，我們制造的鉬、鉬銅以及鎢銅晶圓襯底可以鍍膜。例如，我們的鎳-金鍍層具有抗氧化性，并可防止襯底受到腐蝕。此外，我們的鎳-金層是反射層和熱沉片的焊接或鍵合界面。