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晶能光電硅襯底LED技術(shù)榮獲國家技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2016-01-11  來源:搜搜LED網(wǎng)  瀏覽次數(shù):1351
核心提示:1月8日,國家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會在北京人民大會堂隆重舉行,由南昌大學(xué)、晶能光電(江西)有限公司、中節(jié)能晶和照明有限公司共同完成

 1月8日,國家科學(xué)技術(shù)獎(jiǎng)勵(lì)大會在北京人民大會堂隆重舉行,由南昌大學(xué)、晶能光電(江西)有限公司、中節(jié)能晶和照明有限公司共同完成的“硅襯底高光效氮化鎵基藍(lán)色發(fā)光二極管項(xiàng)目”榮獲國家技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)。項(xiàng)目主要完成人包括晶能光電聯(lián)合創(chuàng)始人、南昌大學(xué)副校長江風(fēng)益教授,晶能光電副總裁孫錢博士,晶能光電聯(lián)合創(chuàng)始人、CEO及晶和照明創(chuàng)始人王敏博士等人。

 

在半導(dǎo)體照明領(lǐng)域存在三條LED技術(shù)路線,分別是藍(lán)寶石襯底、碳化硅襯底和硅襯底LED技術(shù)路線。其中,前兩條技術(shù)路線分別是以日本和美國為主發(fā)展起來的,藍(lán)寶石襯底技術(shù)的三位主要發(fā)明人獲得了2014年度諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng);碳化硅襯底LED技術(shù)的發(fā)明人獲得了2003年美國總統(tǒng)技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)。

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 項(xiàng)目主要完成人之一——江風(fēng)益教授 

據(jù)介紹,國家技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng)判定標(biāo)準(zhǔn)為:屬國內(nèi)外首創(chuàng)的重大技術(shù)發(fā)明或創(chuàng)新,技術(shù)經(jīng)濟(jì)指標(biāo)達(dá)到了同類技術(shù)領(lǐng)先水平,且推動相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)進(jìn)步且已產(chǎn)生顯著的經(jīng)濟(jì)或者社會效益。

 

硅襯底LED技術(shù)從南昌大學(xué)誕生,晶能光電投巨資持續(xù)研發(fā)并產(chǎn)業(yè)化,并經(jīng)晶和照明等眾多企業(yè)應(yīng)用推廣,已經(jīng)從實(shí)驗(yàn)室走向市場。此次硅襯底LED項(xiàng)目脫穎而出,成為2015年度唯一一個(gè)國家技術(shù)發(fā)明一等獎(jiǎng),這是國家層面對該技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用的高度肯定。

 

硅襯底具有良好的導(dǎo)熱性,且具有原材料成本低廉,晶圓尺寸大等優(yōu)點(diǎn)。在硅襯底上制備氮化鎵基LED一直是業(yè)界夢寐以求的事情。然而由于硅和氮化鎵這兩種材料巨大的晶格失配和熱失配導(dǎo)致的外延膜龜裂、晶體質(zhì)量差,以及襯底不透明導(dǎo)致的出光效率低等問題長期未能解決,致使業(yè)界普遍認(rèn)為,在硅襯底上制備高光效氮化鎵基LED是不可能的。

 

以江風(fēng)益教授為首的研發(fā)團(tuán)隊(duì)率先攻克這些世界性難題,在南昌大學(xué)實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出具有原創(chuàng)知識產(chǎn)權(quán)的硅襯底LED技術(shù)。2006年,該技術(shù)獲得金沙江等知名創(chuàng)投的A輪投資,由江風(fēng)益教授和王敏博士聯(lián)合創(chuàng)立晶能光電,專注于硅襯底LED技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化。

 

歷經(jīng)十年艱苦,后又陸續(xù)獲得新加坡淡馬錫牽頭的B輪融資、國際金融公司(IFC)牽頭的C輪融資以及亞太資源牽頭的D輪融資支持;又在金沙江等投資人的共同努力下,引進(jìn)趙漢民博士、孫錢博士等多名優(yōu)秀海歸共同奮斗,晶能光電率先于全球成功實(shí)現(xiàn)硅襯底LED技術(shù)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化。

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