《基板式（COB）LED空白詳細(xì)規(guī)范》《芯片級封裝（CSP）LED空白詳細(xì)規(guī)范》2項行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)、《半導(dǎo)體發(fā)光二極管光輻射安全 第1部分:要求與等級分類方法》《半導(dǎo)體發(fā)光二極管光輻射安全 第2部分:測試方法》《發(fā)光二極管模塊熱特性瞬態(tài)測試方法》3項國家標(biāo)準(zhǔn)的制訂工作已經(jīng)完成，目前正處于公示階段，公示時間：2019年5月20日—2019年6月19日。

更多內(nèi)容可閱覽中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會網(wǎng)站（www.cesa.cn）“標(biāo)準(zhǔn)報批公示”欄目。

標(biāo)準(zhǔn)編號：SJ/T 11733-2019
標(biāo)準(zhǔn)名稱：基板式（COB）LED空白詳細(xì)規(guī)范
標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容：
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了基板式（COB）LED的技術(shù)要求，主要內(nèi)容包括COB LED的一般要求、極限值、光電特性、試驗(yàn)條件和試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)要求等。

標(biāo)準(zhǔn)編號：SJ/T 11734-2019
標(biāo)準(zhǔn)名稱：芯片級封裝（CSP）LED空白詳細(xì)規(guī)范
標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容：
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定芯片級封裝（CSP）LED的技術(shù)要求，主要內(nèi)容包括COB LED的一般要求、極限值、光電特性、試驗(yàn)條件和試驗(yàn)方法及檢驗(yàn)要求等。

計劃編號：20100031-T-339
標(biāo)準(zhǔn)名稱：半導(dǎo)體發(fā)光二極管光輻射安全 第1部分:要求與等級分類方法
標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容：
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體發(fā)光二極管的光輻射安全要求與危險等級分類方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于光輻射波長為近紫外和可見光區(qū)域(300～780 nm)的單芯片或多芯片LED。

計劃編號：20100032-T-339
標(biāo)準(zhǔn)名稱：半導(dǎo)體發(fā)光二極管光輻射安全 第2部分:測試方法
標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容：
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了半導(dǎo)體發(fā)光二極管的光輻射安全的測試方法，適用于光輻射波長為近紫外和可見光區(qū)域（300～780 nm）的單芯片或多芯片LED。

計劃編號：20151774-T-339
標(biāo)準(zhǔn)名稱：發(fā)光二極管模塊熱特性瞬態(tài)測試方法
標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容：
本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了由單個、多個發(fā)光二極管(簡稱LED)芯片或器件組成的LED模塊熱特性瞬態(tài)測試方法。本標(biāo)準(zhǔn)適用于單個、多個LED芯片或器件封裝而成的模塊，以及LED芯片或器件和其他微電子器件構(gòu)成的模塊熱特性測量。

來源：照明工程學(xué)報