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美國Micro LED開發(fā)商宣布巨量轉移技術獲實質性進展

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2020-11-03  來源:LEDinside  瀏覽次數(shù):1010
核心提示:美國Micro LED技術開發(fā)商VerLASE致力于開發(fā)以噴墨打印機為概念的Micro LED 巨量轉移技術。昨(1)日,VerLASE宣布其Micro LED巨量轉移技術獲得了實質性的進展。

美國Micro LED技術開發(fā)商VerLASE致力于開發(fā)以噴墨打印機為概念的Micro LED 巨量轉移技術。昨(1)日,VerLASE宣布其Micro LED巨量轉移技術獲得了實質性的進展。

 

 

報道稱,VerLASE計劃開發(fā)用于生產(chǎn)各種Micro LED芯片的工藝流程,芯片尺寸范圍涵蓋200 X 200 um(Mini LED)、10 X 10 um、最終到 5x5 um。同時,VerLASE還計劃展示倒裝和垂直薄膜LED兩種結構的轉移過程。

 

 

VerLASE的Micro LED技術是基于其獨有的光機械驅動(PMA)技術開發(fā)的,也就是通過印章轉移結構和能夠準確抓取大量Micro LED的新型化學機制,將Micro LED芯片轉移到所要求的襯底上,再以高精度和高速度進行分配和放置。

 

VerLASE宣稱,只要操作充分,這項工藝可以實現(xiàn)極高的轉移量,且空間精度高。

 

 
關鍵詞: Micro LED
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