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三安光電:泉州三安半導體獲1.84億元設備購置補貼款

字體變大  字體變小 發(fā)布日期:2020-12-14  來源:集微網(wǎng)  瀏覽次數(shù):2989
核心提示:12月11日,三安光電發(fā)布公告稱,本公司全資子公司泉州三安半導體科技有限公司(以下簡稱“三安半導體”)收到泉州半導體高新技術產業(yè)園區(qū)南安分園區(qū)管理委員會《關于撥付泉州三安半導體科技有限公司設備購置補助款的通知》 [泉芯南管(2020)129號]文件。

12月11日,三安光電發(fā)布公告稱,本公司全資子公司泉州三安半導體科技有限公司(以下簡稱“三安半導體”)收到泉州半導體高新技術產業(yè)園區(qū)南安分園區(qū)管理委員會《關于撥付泉州三安半導體科技有限公司設備購置補助款的通知》 [泉芯南管(2020)129號]文件。

 

公告顯示,根據(jù)泉州市人民政府、南安市人民政府與三安光電股份有限公司簽訂的《投資合作協(xié)議》,經(jīng)研究,同意撥付三安半導體設備購置補助款184,273,009.89元。三安半導體已于 2020年12月10日收到該筆款項。

 

據(jù)悉,泉州三安半導體成立于2017年12月,是三安光電股份有限公司(以下簡稱“三安光電”)旗下全資子公司。

 

泉州三安地處南安市石井半導體產業(yè)園,規(guī)劃建設用地約2500畝,總投資333億元。項目預計建設期五年,七年后預計可實現(xiàn)年產值270億元,稅收30億元。項目建設終期,將形成GaN業(yè)務、GaAs業(yè)務、集成電路業(yè)務、特種封裝業(yè)務四大業(yè)務板塊,建設成包含:高端GaN LED襯底、外延、芯片;高端GaAs LED 外延、芯片;大功率GaN激光器;光通訊器件、模組;射頻濾波器、微波集成電路;功率型半導體(GaN、Sic電力電子);特種襯底材料、特種封裝產品應用七個產品方向的研發(fā)、生產基地。

 
關鍵詞: 三安光電 1.84億元
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