產(chǎn)業(yè)技術綜合研究所和東北大學于2019年7月宣布，他們開發(fā)了一種在電流密度較低情況下也能保持發(fā)光效率的GaN（氮化鎵）Micro LED。他們試做的GaN Micro LED尺寸僅為6μm見方，如果把這款GaN Micro LED以較高的密度排列的話，就可以獲得高效率、高分辨率的Micro LED顯示屏。
本次研究中，產(chǎn)總研致力于研究通過中性粒子光束蝕刻（Beam Etching）技術制作具有GaN納米結構的LED；日本東北大學開發(fā)了對半導體材料幾乎不會產(chǎn)生損傷的中性粒子光束蝕刻技術（Beam Etching）。兩家單位通過合作，共同開發(fā)了GaN Micro LED。
該研究小組此次采用了中性粒子光束蝕刻（Beam Etching）技術和傳統(tǒng)的ICP蝕刻（Etching）技術，分別制作了4種不同尺寸（40μm見方、20μm見方、10μm見方、6μm見方）的GaN Micro LED。
關于6μm的Micro LED，當電流密度為5A/cm2時，比較了采用兩種技術后的發(fā)光效率。結果，利用中性粒子光束蝕刻技術試做的產(chǎn)品的發(fā)光效率幾乎是ICP蝕刻技術的5倍。
使用6μm的Micro LED，顯示屏的分辨率就會超過2000像素（Pixel）/英寸，那么就可以應用于虛擬現(xiàn)實（AR）、擴展現(xiàn)實（XR）的頭戴式顯示屏（Head Mount Display）等用途。（來源：eetimes.jp）
