近日,成都辰顯光電有限公司(以下簡稱辰顯光電)在成都高新區(qū)成功點亮了國內(nèi)首款P0.5 TFT基無邊框29英寸Micro-LED拼接屏。該拼接屏采用了25微米LED芯片,由4個14.5英寸Micro-LED箱體拼接組成,像素間距為500微米,在行業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先地位。
這款拼接屏采用了國內(nèi)首款Micro-LED專用驅(qū)動IC,實現(xiàn)了10 bit色深和240 Hz高刷新率,并配合特有的De-Mura方案,顯著提升了顯示效果。
同時,辰顯光電還采用了自主研發(fā)的混合驅(qū)動電路架構(gòu),成功實現(xiàn)了600 nit亮度(支持HDR功能,最高可達(dá)1000 nit)。
此外,該拼接屏還取得了多項重要的技術(shù)突破:
1、國內(nèi)首款P0.5 TFT基Micro-LED大尺寸拼接屏,實現(xiàn)了真正意義上的無限拼接
在Micro-LED顯示技術(shù)的發(fā)展中,無限拼接一直被視為一項重要的目標(biāo)。辰顯光電目前實現(xiàn)的這項技術(shù)突破使得TFT基Micro-LED屏幕在大尺寸拼接領(lǐng)域擁有了更高的分辨率和更出色的顯示效果。用戶能夠根據(jù)自己的需求,自由拼接Micro-LED屏幕,形成任意尺寸的顯示畫面,為高端應(yīng)用提供了更加靈活和多樣化的解決方案。
2、封裝反射率降低到5%以下
辰顯光電成功降低了IJP(Inkjet Printing)封裝的反射率,使其穩(wěn)定在5%以下。IJP技術(shù)是Micro-LED封裝的關(guān)鍵步驟之一,其高反射率一直是制約Micro-LED顯示品質(zhì)的挑戰(zhàn)之一。通過技術(shù)團(tuán)隊的不懈努力,辰顯光電成功地克服了這一難題,確保Micro-LED顯示畫面在高亮度狀態(tài)下仍然保持出色的顯示效果,為用戶帶來更加清晰和逼真的視覺體驗。
值得一提的是,辰顯光電還引入了自主開發(fā)的高速巨量轉(zhuǎn)移技術(shù),將25微米LED芯片轉(zhuǎn)移良率提升至99.995%。同時,采用了LED后處理技術(shù),確保了顯示色彩的一致性和鮮艷度。
為了推動Micro-LED顯示技術(shù)在中國的發(fā)展,今年7月辰顯光電已經(jīng)與成都高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)管理委員會正式簽署了Micro-LED顯示屏生產(chǎn)基地項目投資合作協(xié)議。這意味著全球首條TFT基Micro-LED顯示屏生產(chǎn)線即將在四川成都正式啟動。據(jù)預(yù)測,辰顯光電的TFT基Micro-LED產(chǎn)品將在2024年進(jìn)入正式出貨階段。
這一突破性的進(jìn)展將為用戶帶來全新的驚喜,同時對整個顯示產(chǎn)業(yè)的發(fā)展產(chǎn)生積極的推動作用。辰顯光電在Micro-LED技術(shù)領(lǐng)域的不斷創(chuàng)新和發(fā)展,為中國顯示技術(shù)走向國際舞臺提供了強(qiáng)有力的支持。
同時,辰顯光電還采用了自主研發(fā)的混合驅(qū)動電路架構(gòu),成功實現(xiàn)了600 nit亮度(支持HDR功能,最高可達(dá)1000 nit)。
1、國內(nèi)首款P0.5 TFT基Micro-LED大尺寸拼接屏,實現(xiàn)了真正意義上的無限拼接
辰顯光電成功降低了IJP(Inkjet Printing)封裝的反射率,使其穩(wěn)定在5%以下。IJP技術(shù)是Micro-LED封裝的關(guān)鍵步驟之一,其高反射率一直是制約Micro-LED顯示品質(zhì)的挑戰(zhàn)之一。通過技術(shù)團(tuán)隊的不懈努力,辰顯光電成功地克服了這一難題,確保Micro-LED顯示畫面在高亮度狀態(tài)下仍然保持出色的顯示效果,為用戶帶來更加清晰和逼真的視覺體驗。