2024年12月12日消息，國家知識產(chǎn)權(quán)局信息顯示，北京海炬科技有限公司申請一項(xiàng)名為“一種基于永磁偏置的芯片巨量轉(zhuǎn)移用自解耦電磁裝置及應(yīng)用”的專利，公開號CN 119108176 A，申請日期為2024年9月。
專利摘要顯示，本發(fā)明公開了一種基于永磁偏置的芯片巨量轉(zhuǎn)移用自解耦電磁裝置及其應(yīng)用，涉及芯片巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)領(lǐng)域，包括線圈支撐座、磁針固定底座、磁針支撐罩、電磁支撐罩，線圈支撐座的頂面中央設(shè)置有磁針容納槽，磁針固定底座設(shè)置于磁針容納槽內(nèi)，磁針固定底座的的上方設(shè)置有鋁合金底層，磁針固定底座上設(shè)置有若干永磁磁針，永磁磁針的頂端向上穿過鋁合金底層，磁針容納槽的周圍設(shè)置有磁針支撐罩，磁針支撐罩的外圍設(shè)置有電磁支撐罩，磁針支撐罩與電磁支撐罩之間放置通電螺線圈。本發(fā)明采用上述結(jié)構(gòu)和步驟的一種基于永磁偏置的芯片巨量轉(zhuǎn)移用自解耦電磁裝置及其應(yīng)用，通過流體場和磁場相結(jié)合的方式實(shí)現(xiàn)Mini/Micro LED芯片快速大批量精準(zhǔn)轉(zhuǎn)移。
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