英國半導(dǎo)體技術(shù)廠 Plessey 已成功研發(fā)單晶硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) Micro LED 技術(shù)。該公司指出，這類創(chuàng)新研發(fā)將會支援各種次世代應(yīng)用，如 AR 頭戴式裝置、抬頭式顯示器 (HUD) 等進入大眾市場的其他智能穿戴裝置。
Micro LED具備高對比、高速、廣視角、高亮度、高效率與作業(yè)時間長等特性，相當適合應(yīng)用在智能手表、抬頭式顯示器與 AR 頭戴式裝置等穿戴式產(chǎn)品上的顯示器應(yīng)用。
然而， Micro LED因體積微小，制作過程艱難，若使用常見的取放技術(shù)，將 Micro LED 一個個以小于 50 微米的間距擺放，是相當困難的挑戰(zhàn)。該制程的設(shè)備價格不斐且在產(chǎn)量上仍充滿疑慮，隨著像素密度逐日攀升，取放技術(shù)恐無用武之地。
圖片來源：Plessey
因此，Plessey 持續(xù)開發(fā)硅基氮化鎵的技術(shù)，該技術(shù)將氮化鎵LED放置在硅基板而非傳統(tǒng)的藍寶石基板上。使用硅基氮化鎵技術(shù)，便能夠制造單晶 Micro LED，在單一芯片上裝載多個放射器。這種方法的優(yōu)勢在于能將像素間距縮小至8微米、且能放大LED放射體積，以及硅基氮化鎵表面的放射屬性所帶來的較高對比等。該技術(shù)適用的晶圓大小，已經(jīng)可輕松拉至 200nm以上，改善成本與良率。
此技術(shù)能夠剔除傳統(tǒng)取放式生產(chǎn)的弊病，又賦予Micro LED 滿足新興 AR 與顯示器應(yīng)用之苛刻要求的潛力。再者，采單晶設(shè)計讓Micro LED能直接放在CMOS硅背板上，輕松將 CMOS 電路導(dǎo)入高科技應(yīng)用。
Plessey具有目前唯一的單晶Micro LED方案，并陸續(xù)對外授權(quán)該技術(shù)，供合作伙伴生產(chǎn)客制化顯示器與光源使用，滿足各式各樣的消費者電子應(yīng)用。
